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    首頁-技術文章-閃耀光柵加工工藝流程

    閃耀光柵加工工藝流程

    更新時間:2025-07-07      點擊次數:50
      閃耀光柵憑借的定向衍射特性,在光譜儀器中占據核心地位。其加工工藝流程需經過多道精密工序,從基底制備到成品檢測,每一步都需嚴格控制精度,以下是詳細流程解析。?
      1、基底材料制備與預處理?
      閃耀光柵的基底需選用光學性能穩定的材料,常用熔融石英(透射型)或鋁合金(反射型)。首先對原材料進行切割,采用金剛石鋸片將石英棒或金屬塊切割成預設尺寸(如 100mm×100mm×5mm),切割面平面度誤差控制在 5μm 以內。切割后的基底進行粗磨,使用 800 目碳化硅砂輪去除表面毛刺和切割痕跡,使表面粗糙度降至 Ra1μm 以下。?
      預處理階段的關鍵是應力消除,將基底放入退火爐中,在 600℃(石英)或 300℃(金屬)下保溫 4 小時,緩慢冷卻至室溫,確保內部應力小于 5MPa,避免后續加工中出現變形。隨后進行超聲清洗,先用 5% 氫氟酸溶液去除石英表面的氧化層,再用超純水(電阻率≥18.2MΩ?cm)清洗 3 次,最后在百級潔凈室中烘干,防止雜質殘留。?
      2、光刻膠涂覆與曝光?
      在潔凈室內,采用旋轉涂膠法在基底表面涂覆光刻膠(如 AZ6130)。將基底固定在勻膠機上,滴膠后先以 500r/min 低速旋轉 5 秒,使膠液均勻覆蓋表面,再以 3000r/min 高速旋轉 30 秒,形成厚度為 1-2μm 的光刻膠膜,膜厚偏差需控制在 ±50nm 以內。涂膠后的基底在 80℃烘箱中前烘 30 分鐘,去除膠內溶劑,增強膠膜與基底的附著力。?
      曝光環節采用激光干涉光刻技術,將基底置于精密工作臺上,通過 He-Cd 激光器(波長 442nm)產生的兩束相干光在光刻膠表面形成干涉條紋。根據閃耀光柵的刻線密度(如 1200 線 /mm)調整光束夾角,確保條紋間距精度達 ±0.05μm。曝光時間需根據膠膜厚度精確控制(通常 10-30 秒),曝光后在顯影液(如 AZ300MIF)中浸泡 60 秒,去除曝光區域的光刻膠,形成光刻膠掩模。?
     

    閃耀光柵加工

     

      3、刻蝕形成閃耀面?
      刻蝕是塑造閃耀角的核心工序,透射光柵多采用反應離子刻蝕(RIE),反射光柵則常用離子束刻蝕(IBE)。以金屬反射光柵為例,將帶有光刻膠掩模的鋁基底放入刻蝕腔,通入氬氣(壓力 0.5Pa),通過射頻電源產生等離子體,離子在電場加速下轟擊鋁表面。?
      刻蝕過程中,通過調整離子束入射角(與基底法線夾角即閃耀角,如 30°)和刻蝕時間,控制刻蝕深度(通常為波長的 1/4,如可見光波段約 100-200nm)。刻蝕速率需穩定在 10nm/min,通過實時監測光柵表面輪廓,確保閃耀面的角度偏差小于 0.1°。刻蝕完成后,用氧等離子體灰化去除殘留光刻膠,露出清晰的光柵溝槽結構。?
      4、鍍膜與后處理?
      為增強反射型閃耀光柵的光學性能,需在刻蝕后的表面鍍制高反射膜。常用鋁膜(適用于紫外至近紅外)或金膜(適用于紅外),采用電子束蒸發鍍膜技術,真空度保持在 10??Pa 以下,鍍膜速率控制在 0.5-1nm/s,膜厚根據波長設計(如鋁膜厚度 80nm)。鍍膜后進行退火處理,在 150℃下保溫 2 小時,提高膜層與基底的結合力,避免使用中脫落。?
      后處理包括邊緣修整和清潔,用激光切割去除基底邊緣的多余部分,保證光柵有效區域無毛刺;再次進行超聲清洗(頻率 80kHz),去除鍍膜過程中產生的顆粒雜質,最后用氮氣吹干,防止水漬殘留。?
      5、性能檢測與質量控制?
      成品檢測需全面評估光柵性能:使用激光衍射儀測量刻線密度,偏差需小于 ±1 線 /mm;通過光譜儀測試衍射效率,在閃耀波長處的效率應≥80%;采用原子力顯微鏡(AFM)觀察表面形貌,確保溝槽深度均勻性(偏差≤5nm)和閃耀面粗糙度 Ra≤1nm。?
      對于高精度光柵,還需檢測波前畸變(≤λ/10,λ=632.8nm)和雜散光水平(≤0.1%)。每批產品隨機抽取 10% 進行耐久性測試,在 85℃、85% 濕度環境中放置 1000 小時,性能衰減需小于 5%,確保長期使用穩定性。?
      閃耀光柵加工流程融合了光刻、刻蝕、鍍膜等精密制造技術,每個環節的參數控制直接影響其光學性能。通過嚴格執行工藝流程和質量檢測,才能生產出滿足光譜分析、激光技術等領域需求的高性能閃耀光柵。
     
     

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